近日，西安紫光國芯半導體股份有限公司(以下簡稱“西安紫光國芯”)在VLSI 2023技術與電路研討會上(2023 Symposium on VLSI Technology and Circuits)公開發(fā)表了技術論文——《基于小間距混合鍵合和mini-TSV的135 GBps/Gbit 0.66 pJ/bit 嵌入式多層陣列 DRAM》(135 GBps/Gbit 0.66 pJ/bit Stacked Embedded DRAM with Multilayer Arrays by Fine Pitch Hybrid Bonding and Mini-TSV)。

　　該論文的發(fā)表，是西安紫光國芯在SeDRAM®方向上持續(xù)創(chuàng)新的最新突破。據(jù)了解，作為國際超大規(guī)模集成電路技術研討會，本年度 VLSI 會議共收到全球投稿 632 篇，在最終錄取的212 篇中，僅有2篇來自中國內地企業(yè)，其中1篇便是來自西安紫光國芯的嵌入式多層陣列DRAM論文。

　　本次VLSI 2023上，西安紫光國芯發(fā)布的新一代多層陣列SeDRAM，相較于上一代單層陣列結構，主要采用了低溫混合鍵合技術(Hybrid Bonding，HB)和mini-TSV堆積技術。該技術平臺每Gbit由2048個數(shù)據(jù)接口組成，每個接口數(shù)據(jù)速度達541 Mbps，最終實現(xiàn)業(yè)界領先的135 GBps/Gbit帶寬和0.66 pJ/bit能效，為疊加更多層DRAM陣列結構提供先進有效的解決方案。

　　論文通訊作者西安紫光國芯總經(jīng)理江喜平表示，“2020年IEDM我們發(fā)布了第一代SeDRAM技術，之后我們實現(xiàn)了多款產(chǎn)品的大規(guī)模量產(chǎn)。這次發(fā)布的新一代多層陣列SeDRAM技術，實現(xiàn)了更小的電容電阻、更大的帶寬和容量，可廣泛應用于近存計算、大數(shù)據(jù)處理和高性能計算等領域。”

　　西安紫光國芯異質集成嵌入式DRAM(SeDRAM)基于混合鍵合技術實現(xiàn)了邏輯單元和DRAM陣列三維集成，多項研發(fā)成果已先后在IEDM 2020、CICC 2021、ISSCC 2022等多個期刊和會議上公開發(fā)表和作專題報告。(張楚翌 高新融媒記者 于秋瑾 通訊員 尉鵬)